M68701M

更新时间： 2024-11-06 22:19:59

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon MOS FET Power Amplifier, 860-915MHz 6W FM /Digital Mobile

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M68701M 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLNG,2.26"H.SPACE
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	特性阻抗：	50 Ω
最大输入功率 (CW)：	10 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	915 MHz	最小工作频率：	860 MHz
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装等效代码：	FLNG,2.26"H.SPACE	电源：	12 V
射频/微波设备类型：	NARROW BAND HIGH POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
最大电压驻波比：	4	Base Number Matches：	1

M68701M 数据手册

ATTENTION

MITSUBISHI RF POWER MODULE

OBSERVE PRECAUTIONS

FOR HANDLING

ELETROSTATIC

SENSITIVE

M68701M

DEVICES

Silicon MOS FET Power Amplifier, 860-915MHz 6W FM /Digital Mobile

D im e n s i o n s i n m m

B L O C K D I A G R A M

O U T L IN E D R A W IN G

6 0 . 5 + / - 1

5 7 . 5 + / - 0 . 5

5 0 . 2 + / - 1

+ 0 . 2

2 - R 1 . 6

p h a i 0 . 4 5

+ / - 0 . 2

8 . 3 + / - 1

P I N :

2 1 . 3 + / - 1

4 3 . 3 + / - 1

: R F IN P U T

: G A T E B I A S S U P P L Y

: D R A IN B I A S S U P P L Y

: R F O U T P U T

G G

D D

5 1 . 3 + / - 1

G N D : FIN

H 1 1

MAXIMUM RATINGS (Tc=25deg C UNLESS OTHERWISE NOTED)

SYMBOL PARAMETER CONDITIONS

VDD SUPPLY VOLTAGE V_GG<5V,Z_G=Z_L=50 ohms

RATINGS

UNIT

5.5

VGG

GATE BIAS VOLTAGE

INPUT POWER

f=860-915MHz,Z_G=Z_L=50 ohms

OUTPUT POWER

Tc(OP)

Tstg

OPERATION CASE TEMPERATURE f=860-915MHz,Z_G=Z_L=50 ohms

STORAGE TEMPERATURE

-30 to +100

-40 to +110

deg. C

Note:Above parameters are guaranteed independently.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25deg. C ,Zg=Zl=50

UNLESS OTHERWISE NOTED)

ohms

SYMBOL

PARAMETER

TEST CONDITIONS

LIMITS

UNIT

MIN

860

MAX

915

FREQUENCY RANGE

OUTPUT POWER

MHz

V_DD=12.5V,V_GG=5V,Pin=1mW

V_DD=12.5V,

Efficiency TOTAL EFFICIENCY

2fo

VSWR in

2nd HARMONIC

INPUT VSWR

LOAD VSWR

TOLERANCE

Pout=6W (V_GGadjust)

Pin=1mW

V_DD=15.2V,Pin=1mW,Po=6W(V_GGadjust)

Z_G=50 ohms, LOAD VSWR=20:1

-30

dBc

No degradation

or destroy

ABOVE PARAMETERS, RATINGS, LIMITS AND CONDITIONS ARE SUBJECT TO CHANGE .

Keep safety first in your circuit designs!

Mitsubishi Electric Corporation puts the maximum effort into making semiconductor products better and more

reliable, but there is always the possibility that trouble may occur with them. Trouble with semiconductors may

lead to personal injury, fire or property damage. Remember to give due consideration to safety when making your

circuit designs, with appropriate measures such as (i) placement of substitutive, auxiliary circuits, (ii) use of non-

flammable material or (iii) prevention against any malfunction or mishap.

12 3

中文翻译

下载PDF

与M68701M相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M68702H	MITSUBISHI	获取价格	150-175MHz, 12.5V, 60W, FM MOBILE RADIO
M68702L	MITSUBISHI	获取价格	135-160MHz, 12.5V, 60W, FM MOBILE RADIO
M68703	MITSUBISHI	获取价格	440-470mhZ, 12.5v, 50w, fm mobile radio
M68703HA	MITSUBISHI	获取价格	440-470mhZ, 12.5v, 50w, fm mobile radio
M68703LA	MITSUBISHI	获取价格	400-430MHz, 12.5V, 50W, FM MOBILE RADIO
M68703MA	MITSUBISHI	获取价格	430-450MHz, 12.5V, 50W, FM MOBILE RADIO
M68703SHA	MITSUBISHI	获取价格	470-490MHz, 12.5V, 50W, FM MOBILE RADIO
M68706	MITSUBISHI	获取价格	250-270MHz, 12.5V, 30W, FM MOBILE RADIO
M68706H	MITSUBISHI	获取价格	300-308MHz, 12.5V, 20W, FM MOBILE RADIO
M68707	MITSUBISHI	获取价格	250-270MHz, 9.6V, 7W, FM PORTABLE RADIO

与M68701M相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

17
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

14
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

37
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M68701M

M68701M 技术参数

M68701M 数据手册

与M68701M相关器件

与M68701M相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M68701M

M68701M 技术参数

M68701M 数据手册

与M68701M相关器件

与M68701M相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？