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M68701

更新时间: 2024-11-06 22:19:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
页数 文件大小 规格书
3页 32K
描述
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 820-851MHz, 6W, FM PORTABLE RADIO

M68701 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLNG,2.26"H.SPACE
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.81
Is Samacsys:N特性阻抗:50 Ω
构造:MODULE最大输入功率 (CW):10 dBm
最大工作频率:851 MHz最小工作频率:820 MHz
最高工作温度:100 °C最低工作温度:-30 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装等效代码:FLNG,2.26"H.SPACE
电源:12.5 V射频/微波设备类型:NARROW BAND HIGH POWER
子类别:RF/Microwave Amplifiers技术:HYBRID
最大电压驻波比:20Base Number Matches:1

M68701 数据手册

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MITSUBISHI RF POWER MODULE  
M68701  
SILICON MOS FET POWER AMPLIFIER, 820-851MHz, 6W, FM PORTABLE RADIO  
Dimensions in mm  
OUTLINE DRAWING  
BLOCK DIAGRAM  
60.5±1  
57.5±0.5  
50.4±1  
2
3
+0.2  
0
2-R1.6  
1
4
5
5
1
2
3
4
0.45±0.2  
8.3±1  
PIN:  
21.3±1  
1
2
3
4
5
Pin : RF INPUT  
43.3±1  
VGG : GATE BIAS SUPPLY  
VDD : DRAIN BIAS SUPPLY  
PO : RF OUTPUT  
GND: FIN  
51.3±1  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tc=25°C unless otherwise noted)  
Symbol  
VDD  
Parameter  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Supply voltage  
Gate bias voltage  
Input power  
VGG£3.5V, ZG=ZL=50W  
17  
5.5  
V
V
VGG  
Pin  
f=820-851MHz, ZG=ZL=50W  
f=820-851MHz, ZG=ZL=50W  
f=820-851MHz, ZG=ZL=50W  
10  
mW  
W
PO  
Output power  
10  
TC (OP)  
Operation case temperature  
Storage temperature  
-30 to +100  
-40 to +100  
°C  
°C  
Tstg  
Note. Above parameters are guaranteed independently.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25°C,ZG=ZL=50Wunless otherwise noted)  
Symbol Parameter Test conditions  
Limits  
Unit  
Min  
Max  
851  
f
Frequency range  
Output power  
Total efficiency  
820  
6
MHz  
W
PO  
hT  
VDD=12.5V,  
VGG=5V,  
Pin=1mW  
35  
%
2nd. harmonic  
Input VSWR  
2fO  
r in  
-30  
4
dBc  
-
ZG=ZL=50W, VDD=10-16V,  
Load VSWR<4:1  
No parasitic oscillation  
-
-
-
-
Stability  
No degradation or  
destroy  
VDD=15.2V, Pin=1mW,  
PO=6W (VGG adjust), ZL=20:1  
Load VSWR tolerance  
Note. Above parameters, ratings, limits and test conditions are subject to change.  
Nov. ´97  

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