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M66252P

更新时间: 2024-02-14 05:51:41
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 存储光电二极管先进先出芯片
页数 文件大小 规格书
12页 2193K
描述
1152*8-BIT LINE MEMORY(FIFO)

M66252P 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP, DIP24,.3针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.71风险等级:5.69
Is Samacsys:N最长访问时间:40 ns
其他特性:LINE MEMORY周期时间:50 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T24长度:29.6 mm
内存密度:9216 bit内存宽度:8
混合内存类型:N/A功能数量:1
端子数量:24字数:1152 words
字数代码:1152工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:-20 °C
组织:1152X8可输出:NO
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP24,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.75 mm子类别:Other Memory ICs
最大压摆率:0.1 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

M66252P 数据手册

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