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M65KG512AB6W8

更新时间： 2024-11-26 03:04:07

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		动态存储器双倍数据速率
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512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16) 1.8 V supply, DDR low power SDRAM

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M65KG512AB6W8 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8,16
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-30 °C	组织：	32MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	WAFER	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8,16	最大待机电流：	0.00001 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.18 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	Base Number Matches：	1

M65KG512AB6W8 数据手册

M65KG512AB

512Mbit (4 banks x 8 Mb x 16)

1.8 V supply, DDR low power SDRAM

Features

■ 512Mbit Synchronous Dynamic RAM

– Organized as 4 banks of 8 Mwords, each

16 bits wide

■ Double Data Rate (DDR)

– 2 Data Transfers/Clock cycle

– Data Rate: 332 Mbit/s max. for 6ns speed

class

■ Supply voltage

– V = 1.7 to 1.9 V (1.8 V typical in

accordance with JEDEC standard)

– V

= 1.7 to 1.9 V for Inputs/Outputs

DDQ

■ Synchronous Burst Read and Write

– Fixed Burst Lengths: 2-, 4-, 8-, 16 words

– Burst Types: Sequential and Interleaved.

Wafer

– Clock Frequency: 133 MHz (7.5 ns speed

class), 166 MHz (6 ns speed class)

– Clock Valid to Output Delay (CAS Latency):

3 at the maximum clock frequency

– Burst Read Control by Burst Read

Terminate And Precharge Commands

■ Automatic Precharge

■ Byte Write controlled by LDQM and UDQM

■ Low-power features

– Partial Array Self Refresh (PASR)

– Automatic Temperature Compensated Self

Refresh (ATCSR)

– Driver Strength (DS)

– Deep Power-Down mode

– Auto Refresh and Self Refresh

■ LVCMOS interface compatible with multiplexed

addressing

■ Operating temperature:

– −30 to 85 °C

– −30 to 105 °C

The M65KG512AB is only available as part of a multi-chip package product.

February 2007

Rev 3

1/54

www.st.com

12 3 4 5 6 7...54

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