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M65KA256AL10W8

更新时间： 2024-11-26 20:00:51

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
51页	551K
描述
16MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 7ns, UUC, WAFER

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M65KA256AL10W8 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	WAFER
包装说明：	DIE, WAFER	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	X-XUUC-N
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	16MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIE
封装等效代码：	WAFER	封装形状：	UNSPECIFIED
封装形式：	UNCASED CHIP	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00001 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.06 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	UPPER	Base Number Matches：	1

M65KA256AL10W8 数据手册

M65KA256AL

256Mbit (4 Banks x 4M x 16), 105MHz Clock Rate,

1.8V Supply, Low power SDRAM

PRELIMINARY DATA

Feature summary

■ 256Mbit Synchronous Dynamic Ram

– Organized as 4 Banks of 4MWords, each

16 bits wide

■ Supply Voltage

– V_DD= 1.7 to 1.95V (1.8V typical in

accordance with JEDEC standard)

– V_DDQ= 1.7 to 1.95V for Input/Output

■ Synchronous Burst Read and Write

– Fixed Burst Lengths: 1-, 2-, 4-, 8-Word and

Full Page

– Burst Types: Sequential and Interleaved.

– Clock Frequency: 105MHz (9.5ns speed

class)

Wafer

– Clock Valid to Output Delay (CAS Latency):

3 at 105MHz

– Burst Control by Burst Stop and Precharge

Command

■ Automatic and controlled Precharge

■ Byte Control by LDQM and UDQM

■ Low-power features:

– Partial Array Self Refresh (PASR),

– Automatic Temperature Compensated Self

Refresh (TCSR)

– Driver Strength (DS)

– Deep Power-Down Mode

■ Auto Refresh and Self Refresh

■ LVCMOSinterface compatible with multiplexed

addressing

■ Operating temperature range

– −30 to 85°C

The M65KA256AL is only available as part of a multi-chip package Product.

February 2006

Rev 1.0

1/51

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.st.com

12 3 4 5 6 7...51

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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M65KA512AB83T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, UUC, WAFER
M65KA512AB8W	STMICROELECTRONICS	获取价格	32MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, UUC, WAFER
M65KA512AB8W3	STMICROELECTRONICS	获取价格	512Mbit (4 Banks x 8M x 16), 133 MHz Clock Rate, Bare Die, 1.8 V Supply, Low Power SDRAM
M65KA512AB8W8	STMICROELECTRONICS	获取价格	32MX16 SYNCHRONOUS DRAM, 6ns, UUC, WAFER
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