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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
光电二极管商用集成电路 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 7页 | 263K |  |
| 描述 | ||
| Y/C Separator IC, PDIP52, 0.600 INCH, SHRINK, PLASTIC, DIP-52 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | SDIP, SDIP52,.6 |
| 针数： | 52 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.88 | 商用集成电路类型： | Y/C SEPARATOR IC |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T52 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 45.85 mm | 端子数量： | 52 |
| 最高工作温度： | 65 °C | 最低工作温度： | -20 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SDIP |
| 封装等效代码： | SDIP52,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE, SHRINK PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.5 mm | 子类别： | Other Consumer ICs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V |
| 表面贴装： | NO | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 1.778 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 15.24 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M65608E | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 Very Low Power 5V CMOS SRAM |
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| M65608E_07 | ATMEL | Rad. Tolerant 128K x 8 5-volts Very Low Power CMOS SRAM |
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| M65608E_09 | ATMEL | Rad. Tolerant 128Kx8, 5-Volt Very Low Power CMOS SRAM |
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| M65609E | ATMEL | Rad. Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM |
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| M65609E_07 | ATMEL | Rad Hard 128K x 8 3.3-volt Very Low Power CMOS SRAM |
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| M65609FP | MITSUBISHI | Consumer Circuit, CMOS, PQFP100, 100P6S |
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