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M5M5256DFP-70XG PDF预览

M5M5256DFP-70XG

更新时间： 2024-10-02 05:47:03
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 164K
描述
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM

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M5M5256DFP-70XG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOP, SOP28,.5
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.75Is Samacsys：N
最长访问时间：70 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G28JESD-609代码：e6
长度：17.5 mm内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP28,.5
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3/5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.4 mm最大待机电流：2e-7 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.045 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8.4 mmBase Number Matches：1

M5M5256DFP-70XG 数据手册

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RENESAS LSIs  
M5M5256DFP,VP -70G,-70GI,-70XG  
262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
The M5M5256DFP,VP is 262,144-bit CMOS static RAMs  
organized as 32,768-words by 8-bits which is f abricated using  
high-perf ormance 3 poly silicon CMOS technology . The use of  
resistiv e load NMOS cells and CMOS periphery results in a high  
density and low power static RAM. Stand-by current is small  
enough f or battery back-up application. It is ideal f or the memory  
sy stems which require simple interf ace.  
28  
1
2
A14  
A12  
Vcc  
/W  
27  
26  
25  
3
A13  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
4
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
5
A9  
A11  
/OE  
6
Especially the M5M5256DVP are packaged in a 28-pin thin small  
outline package.  
7
A3  
A2  
A1  
A0  
8
A10  
/S  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
9
10  
DQ1 11  
DQ2  
12  
13  
14  
FEATURE  
DQ3  
GND  
Power supply current  
Access  
Oprating  
DQ4  
Ty pe  
time  
(max)  
Activ e  
(max)  
Stand-by  
(max)  
Temperature  
Outline 28P2W-C (FP)  
20µA  
(Vcc=5.5V)  
M5M5256DFP,VP  
-70G  
70ns  
70ns  
0~70°C  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
9
A10  
/S  
DQ8  
DQ7  
DQ6  
DQ5  
/OE  
A11  
12µA  
(Vcc=3.6V)  
23  
24 A9  
25  
45mA  
A8  
(Vcc=5.5V)  
40µA  
(Vcc=5.5V)  
26  
A13  
/W  
Vcc  
A14  
A12  
A7  
M5M5256DFP,VP  
-70GI  
27  
28  
1
-40~85°C  
0~70°C  
24µA  
(Vcc=3.6V)  
DQ4  
GND  
M5M5256DVP  
25mA  
(Vcc=3.6V)  
2
DQ3  
DQ2  
DQ1  
A0  
A1  
A2  
5µA  
(Vcc=5.5V)  
3
M5M5256DFP,VP  
-70XG  
2.4µA  
4
70ns  
A6  
A5  
A4  
A3  
(Vcc=3.6V)  
5
0.05µA  
(Vcc=3.0V Typical)  
6
8
7
•Single 3.0~5.5V power supply  
•No clocks, no ref resh  
Outline 28P2C-A (VP)  
•Data-Hold on +2.0V power supply  
•Directly TTL compatible : all inputs and outputs  
•Three-state outputs : OR-tie capability  
•/OE prev ents data contention in the I/O bus  
•Common Data I/O  
•Battery backup capability  
•Low stand-by current .......... 0.05µA(ty p.)  
PACKAGE  
M5M5256DFP  
M5M5256DVP  
: 28 pin 450 mil SOP  
: 28pin 8 X 13.4 mm TSOP  
2
APPLICATION  
Small capacity memory units  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M5M5256DFP-70XL MITSUBISHI

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 		262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5256DFP-70XL RENESAS

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 		262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
M5M5256DFP-70XLT MITSUBISHI

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 		Standard SRAM, 32KX8, 70ns, MIXMOS, PDSO28, 0.450 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-28
M5M5256DFP-85VLL MITSUBISHI

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 		262144-BIT (32768-WORD BY 8-BIT) CMOS STATIC RAM
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M5M5256DFP-85VXL MITSUBISHI

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M5M5256DFP-85VXLT MITSUBISHI

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M5M5256DFP-85VXL-W MITSUBISHI

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