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M5M51004BJ-25VT

更新时间: 2024-10-01 06:04:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
5页 163K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

M5M51004BJ-25VT 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:28
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.82
最长访问时间:25 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J28
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:256KX4
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大供电电压 (Vsup):3.63 V最小供电电压 (Vsup):2.97 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子位置:DUAL

M5M51004BJ-25VT 数据手册

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