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| 三菱 - MITSUBISHI |  |
动态存储器光电二极管 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 21页 | 1078K |  |
| 描述 | ||
| Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ28,.44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 60 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 2097152 words |
| 字数代码： | 2000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 2MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ28,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 2048 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.12 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| M5M4V17800DJ-6S | MITSUBISHI | Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28 |
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| M5M4V17800DTP-6 | MITSUBISHI | Fast Page DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28 |
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| M5M4V17805CJ-5ST | MITSUBISHI | EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M4V17805CJ-6 | MITSUBISHI | EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M4V17805CJ-6ST | MITSUBISHI | EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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|
| M5M4V17805CJ-7 | MITSUBISHI | EDO DRAM, 2MX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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