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M5M4V16400CJ-5ST

更新时间: 2024-11-26 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 705K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-26/24

M5M4V16400CJ-5ST 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:24
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.35
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:50 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-J24长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:3.55 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

M5M4V16400CJ-5ST 数据手册

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