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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP18,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 150 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T18 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | PAGE MODE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 18 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP18,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 256 | 子类别： | DRAMs |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | MOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M44800AJ-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-10S | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
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| M5M44800AJ-10T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-6T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-7 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-7S | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-8ST | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AJ-8T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 |
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| M5M44800AL-10S | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PZIP28 |
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