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M5M44101ART-10T

更新时间： 2024-11-14 04:54:07

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	592K
描述
Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

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M5M44101ART-10T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	NIBBLE	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
长度：	17.14 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M44101ART-6T	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44101ART-7T	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44101ATP-10	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44101ATP-8T	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
M5M44101AWJ-10T	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M44101AWJ-6T	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M44101AWJ-8T	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M44101J-10	MITSUBISHI	获取价格	Nibble Mode DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.350 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M44102AJ-10T	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
M5M44102AJ-6T	MITSUBISHI	获取价格	Static Column DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20