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M5M411664J-8ST

更新时间： 2024-11-26 04:28:27

品牌	Logo	应用领域
三菱 - MITSUBISHI		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	866K
描述
Fast Page DRAM, 64KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40

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M5M411664J-8ST 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.55
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J40
长度：	26.04 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	40	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	256
座面最大高度：	3.55 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5M411664J-8T	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40
M5M411664RT-6	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664RT-6S	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664RT-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664RT-7	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO42
M5M411664RT-7S	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO42
M5M411664RT-8ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 80ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664TP-6	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664TP-6S	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42
M5M411664TP-6ST	MITSUBISHI	获取价格	Fast Page DRAM, 64KX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-42