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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SOJ, SOJ20/26,.34 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 120 ns |
| I/O 类型： | SEPARATE | JESD-30 代码： | R-PDSO-J20 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ20/26,.34 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 512 | 最大待机电流： | 0.0005 A |
| 子类别： | DRAMs | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M5M41000BJ-7LT | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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| M5M41000BJ-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
|
| M5M41000BJ-8L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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| M5M41000BJ-8LT | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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| M5M41000BJ-8T | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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| M5M41000BL12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PZIP20 |
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| M5M41000BL12I | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 120ns, CMOS, PZIP20 |
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| M5M41000BL-8 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19 |
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| M5M41000BP-10 | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 |
|
| M5M41000BP-7L | MITSUBISHI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18 |
|
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