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M5KP13AE3

更新时间： 2024-09-23 18:15:27

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
7页	354K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN

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M5KP13AE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.33
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压：	15.9 V	最小击穿电压：	14.4 V
击穿电压标称值：	15.15 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	21.5 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-204AR	JESD-30 代码：	R-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值反向功率耗散：	5000 W	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1.56 W	认证状态：	Not Qualified
参考标准：	MIL-19500	最大重复峰值反向电压：	13 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
M5KP13A	MICROSEMI	类似代替	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M5KP13AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 13V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
M5KP13AE3TR	MICROSEMI	获取价格	5000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 P
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M5KP14AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 14V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
M5KP14AE3/TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 14V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
M5KP14AE3TR	MICROSEMI	获取价格	5000W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-204AR, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 5A, 2 P