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M59DR032E100N6T

更新时间： 2024-09-24 22:46:39

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
38页	271K
描述
32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory

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M59DR032E100N6T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48	针数：	48
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.28
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	100 ns
启动块：	TOP	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	2.2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	12 mm	Base Number Matches：	1

M59DR032E100N6T 数据手册

M59DR032A

M59DR032B

32 Mbit (2Mb x16, Dual Bank, Page) Low Voltage Flash Memory

PRELIMINARY DATA

■ SUPPLY VOLTAGE

– V

= V

= 1.65V to 2.2V: for Program,

DDQ

Erase and Read

– V

= 12V: optional Supply Voltage for fast

Program and Erase

■ ASYNCHRONOUS PAGE MODE READ

– Page Width: 4 words

BGA

– Page Access: 35ns

– Random Access: 100ns

TSOP48 (N)

12 x 20mm

FBGA48 (ZB)

8 x 6 solder balls

■ PROGRAMMING TIME

– 10µs by Word typical

– Double Word Programming Option

■ MEMORY BLOCKS

– Dual Bank Memory Array: 4 Mbit - 28 Mbit

– Parameter Blocks (Top or Bottom location)

– Main Blocks

Figure 1. Logic Diagram

■ DUAL BANK OPERATIONS

– Read within one Bank while Program or

Erase within the other

DD DDQ PP

– No delay between Read and Write operations

■ BLOCK PROTECTION/UNPROTECTION

– All Blocks protected at Power Up

A0-A20

DQ0-DQ15

– Any combination of Blocks can be protected

– WP for Block Locking

M59DR032A

M59DR032B

■ COMMON FLASH INTERFACE (CFI)

■ 64 bit SECURITY CODE

■ ERASE SUSPEND and RESUME MODES

■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per

BLOCK

■ 20 YEARS DATA RETENTION

– Defectivity below 1ppm/year

■ ELECTRONIC SIGNATURE

– Manufacturer Code: 20h

AI02544B

– Device Code, M59DR032A: A0h

– Device Code, M59DR032B: A1h

October 1999

1/38

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M59DR032E100ZB1	NUMONYX	获取价格	2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
M59DR032E100ZB1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032E100ZB6	NUMONYX	获取价格	2MX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
M59DR032E100ZB6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032E120N1	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR032E120N1T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032E120N1T	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR032E120N6	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
M59DR032E120N6T	STMICROELECTRONICS	获取价格	32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR032E120N6T	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX16, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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