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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 0.75 MM PITCH, TFBGA-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 100 ns | 启动块： | BOTTOM |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | S-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 7 mm |
| 内存密度： | 8388608 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8,15 | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小： | 4 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8/2 V |
| 编程电压： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 4K,32K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.04 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.75 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 7 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M59DR008E100ZB6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120N1 | STMICROELECTRONICS |
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512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
|
| M59DR008E120N1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120N6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120ZB1T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120ZB6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| M59DR008E120ZB6T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008EN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008EZB | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008F | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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