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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
闪存 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 37页 | 268K |  |
| 描述 | ||
| 512KX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 针数： | 48 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.29 | 最长访问时间： | 100 ns |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 8,15 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 524288 words |
| 字数代码： | 512000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 512KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 页面大小： | 4 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.8/2 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 4K,32K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.2 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.65 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 12 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M59DR008E100N6T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E100ZB1T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E100ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120N1 | STMICROELECTRONICS |
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512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
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| M59DR008E120N1T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120N6T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120ZB1T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008E120ZB6 | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 |
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| M59DR008E120ZB6T | STMICROELECTRONICS |
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8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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| M59DR008EN | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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