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M59BW10225N1

更新时间： 2024-09-25 13:10:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
24页 182K
描述
64KX16 FLASH 3V PROM, 25ns, PDSO40, 10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40

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M59BW10225N1 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：TSOP包装说明：10 X 14 MM, PLASTIC, TSOP-40
针数：40Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.72Is Samacsys：N
最长访问时间：25 ns命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G40
JESD-609代码：e0长度：12.4 mm
内存密度：1048576 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：32端子数量：40
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1
封装等效代码：TSSOP40,.56,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：32K最大待机电流：0.0001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
切换位：YES类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M59BW10225N1 数据手册

 浏览型号M59BW10225N1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M59BW10225N1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M59BW10225N1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M59BW10225N1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M59BW10225N1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M59BW10225N1的Datasheet PDF文件第7页 
M59BW102  
1 Mbit (64Kb x16, Burst) Low Voltage Flash Memory  
PRELIMINARY DATA  
■ 2.7 to 3.6V SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM,  
ERASE and READ OPERATIONS  
■ SEQUENTIAL CYCLE TIME: 25ns  
■ RANDOM ACCESS TIME  
■ PROGRAMMING TIME: 10µs typical  
■ INTERLEAVED ACCESS TIME: 16ns  
■ CONTINUOUS MEMORY INTERLEAVING  
– Unlimited Linear Access Data Output  
■ PROGRAM/ERASE CONTROLLER (P/E.C.)  
TSOP40 (N)  
10 x 14mm  
– Program Word-by-Word  
– Status Register bits  
■ LOW POWER CONSUMPTION  
– Stand-by and Automatic Stand-by  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES  
■ 20 YEARS DATA RETENTION  
Figure 1. Logic Diagram  
– Defectivity below 1ppm/year  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
– Device Code: C1h  
V
CC  
DESCRIPTION  
The M59BW102 is a non-volatile memory that may  
be erased electrically at the chip level and pro-  
grammed in-system on a Word-by-Word basis us-  
16  
16  
ing only a single 3V V supply. For Program and  
CC  
A0-A15  
DQ0-DQ15  
Erase operations the necessary high voltages are  
generated internally. The device can also be pro-  
grammed in standard programmers.  
The device can be programmed and erased over  
100,000 cycles.  
Instructions for Read/Reset, Auto Select for read-  
ing the Electronic Signature, Programming and  
Chip Erase are written to the device in cycles of  
commands to a Command Interface using stan-  
dard microprocessor write timings. The  
M59BW102 features an interleaved access mo-  
dality which allows extremely fast access time.  
The device is offered in TSOP40 (10 x 14mm)  
package.  
W
E
M59BW102  
G
ALE  
V
SS  
AI02763B  
March 2000  
1/24  
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.  
1234567...24

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与M59BW10225N1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M59BW10225N1T STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59BW102N STMICROELECTRONICS

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 		1 Mbit 64Kb x16, Burst Low Voltage Flash Memory
M59DR008 STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N1T STMICROELECTRONICS

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 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E100N6 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 FLASH 1.8V PROM, 100ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
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 		8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory
M59DR008E120N1 STMICROELECTRONICS

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 		512KX16 FLASH 1.8V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

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