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M58WT064KT70ZAQ6F

更新时间： 2024-09-25 15:39:55
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
117页 2112K
描述
Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88

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M58WT064KT70ZAQ6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32针数：88
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最长访问时间：70 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B88长度：10 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：8,127端子数量：88
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TFBGA
封装等效代码：BGA88,8X12,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：1.8,3 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：4K,32K最大待机电流：0.00005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：BALL端子节距：0.8 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：8 mmBase Number Matches：1

M58WT064KT70ZAQ6F 数据手册

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M58WT032KT M58WT064KT  
M58WT032KB M58WT064KB  
32- and 64-Mbit (×16, multiple bank, burst)  
1.8 V core, 3.0 V I/O supply Flash memories  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 1.7 V to 2 V for program, erase and  
DD  
read  
FBGA  
– V  
= 2.7 V to 3.3 V for I/O buffers  
DDQ  
– V = 9 V for fast program  
PP  
■ Synchronous/asynchronous read  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 × 10 mm  
– Synchronous burst read mode: 52 MHz  
– Asynchronous/synchronous page read  
mode  
– Random access times: 70 ns  
■ Synchronous burst read suspend  
■ Programming time  
■ Security  
– 10 µs by word typical for fast factory  
program  
– 128-bit user programmable OTP cells  
– 64-bit unique device number  
– Double/quadruple word program option  
– Enhanced factory program options  
■ Common Flash interface (CFI)  
■ 100 000 program/erase cycles per block  
■ Memory blocks  
■ Electronic signature  
– Multiple bank memory array: 4 Mbit banks  
– Parameter blocks (top or bottom location)  
– Manufacturer code: 20h  
– Device codes:  
M58WT032KT (top): 8866h  
M58WT032KB (bottom): 8867h  
– M58WT064KT (top): 8810h  
M58WT064KB (bottom): 8811h  
■ Dual operations  
– Program erase in one bank while read in  
others  
– No delay between read and write  
operations  
■ ECOPACK® package available  
■ Block locking  
– All blocks locked at power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for block lock-down  
March 2008  
Rev 2  
1/117  
www.numonyx.com  
1
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