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M58WT032KT70ZAQ6F

更新时间： 2024-09-25 14:52:59
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
117页 2112K
描述
Flash, 2MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 10 MM, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-88

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M58WT032KT70ZAQ6F 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA88,8X12,32针数：88
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B88
长度：10 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,63
端子数量：88字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA88,8X12,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8,3 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.8 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：8 mm
Base Number Matches：1

M58WT032KT70ZAQ6F 数据手册

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M58WT032KT M58WT064KT  
M58WT032KB M58WT064KB  
32- and 64-Mbit (×16, multiple bank, burst)  
1.8 V core, 3.0 V I/O supply Flash memories  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 1.7 V to 2 V for program, erase and  
DD  
read  
FBGA  
– V  
= 2.7 V to 3.3 V for I/O buffers  
DDQ  
– V = 9 V for fast program  
PP  
■ Synchronous/asynchronous read  
TFBGA88 (ZAQ)  
8 × 10 mm  
– Synchronous burst read mode: 52 MHz  
– Asynchronous/synchronous page read  
mode  
– Random access times: 70 ns  
■ Synchronous burst read suspend  
■ Programming time  
■ Security  
– 10 µs by word typical for fast factory  
program  
– 128-bit user programmable OTP cells  
– 64-bit unique device number  
– Double/quadruple word program option  
– Enhanced factory program options  
■ Common Flash interface (CFI)  
■ 100 000 program/erase cycles per block  
■ Memory blocks  
■ Electronic signature  
– Multiple bank memory array: 4 Mbit banks  
– Parameter blocks (top or bottom location)  
– Manufacturer code: 20h  
– Device codes:  
M58WT032KT (top): 8866h  
M58WT032KB (bottom): 8867h  
– M58WT064KT (top): 8810h  
M58WT064KB (bottom): 8811h  
■ Dual operations  
– Program erase in one bank while read in  
others  
– No delay between read and write  
operations  
■ ECOPACK® package available  
■ Block locking  
– All blocks locked at power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for block lock-down  
March 2008  
Rev 2  
1/117  
www.numonyx.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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