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Datasheet > 存储 > 闪存> M58WR064KU70ZA6U
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M58WR064KU70ZA6U

更新时间： 2024-11-13 03:01:55
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
123页 2337K
描述
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

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M58WR064KU70ZA6U 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44针数：44
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.65
Is Samacsys：N最长访问时间：70 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B44
长度：7.5 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,127
端子数量：44字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA44,8X14,20
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：1.8 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.00001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.06 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：BALL
端子节距：0.5 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：5 mm
Base Number Matches：1

M58WR064KU70ZA6U 数据手册

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M58WR016KU M58WR016KL M58WR032KU  
M58WR032KL M58WR064KU M58WR064KL  
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst)  
1.8 V supply Flash memories  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 1.7 V to 2 V for Program, Erase and  
DD  
FBGA  
Read  
– V  
= 1.7 V to 2 V for I/O buffers  
DDQ  
– V = 9 V for fast Program  
PP  
■ Multiplexed address/data  
VFBGA44 (ZA)  
7.5 × 5 mm  
■ Synchronous / Asynchronous Read  
– Synchronous Burst Read mode: 86 MHz  
– Random Access: 60 ns, 70 ns  
■ Synchronous Burst Read Suspend  
■ Electronic signature  
■ Programming time  
– Manufacturer Code: 20h  
– 10 µs by Word typical for Factory Program  
– Double/Quadruple Word Program option  
– Enhanced Factory Program options  
– Top Device Code,  
M58WR016KU: 8823h  
M58WR032KU: 8828h  
M58WR064KU: 88C0h  
– Bottom Device Code,  
M58WR016KL: 8824h  
M58WR032KL: 8829h  
M58WR064KL: 88C1h  
■ Memory blocks  
– Multiple Bank memory array: 4 Mbit Banks  
– Parameter Blocks (top or bottom location)  
■ Dual operations  
– Program Erase in one Bank while Read in  
others  
■ ECOPACK® packages available  
– No delay between Read and Write  
operations  
■ Block locking  
– All blocks locked at Power up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP for Block Lock-Down  
■ Security  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
■ Common Flash Interface (CFI)  
■ 100,000 program/erase cycles per block  
December 2007  
Rev 2  
1/123  
www.numonyx.com  
1
1234567...123

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与M58WR064KU70ZA6U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58WR064T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064T100ZB6T STMICROELECTRONICS

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