5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.65 |
| 最长访问时间： | 70 ns | 其他特性： | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B44 | 长度： | 7.5 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 8,127 | 端子数量： | 44 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | VFBGA |
| 封装等效代码： | BGA44,8X14,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 页面大小： | 4 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 1.8 V | 编程电压： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1 mm |
| 部门规模： | 4K,32K | 最大待机电流： | 0.00001 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.06 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 5 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M58WR064KT70ZB6F | MICRON |
获取价格 |
M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8 |
|
| M58WR064KT7AZB6E | MICRON |
获取价格 |
M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8 |
|
| M58WR064KT7AZB6F | MICRON |
获取价格 |
M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8 |
|
| M58WR064KU | NUMONYX |
获取价格 |
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories |
|
| M58WR064KU60ZA6E | NUMONYX |
获取价格 |
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories |
|
| M58WR064KU60ZA6U | NUMONYX |
获取价格 |
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories |
|
| M58WR064KU70ZA6E | NUMONYX |
获取价格 |
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories |
|
| M58WR064KU70ZA6F | MICRON |
获取价格 |
M58WR016KU, M58WR016KL, M58WR032KU, M58WR032KL, M58WR064KU, M58WR064KL; used in AD-mux 52- |
|
| M58WR064KU70ZA6U | NUMONYX |
获取价格 |
16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories |
|
| M58WR064T | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
