5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > M58WR064KB7AZB6F
M58WR064KB7AZB6F PDF预览

M58WR064KB7AZB6F

更新时间： 2024-11-14 15:17:15
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
111页 3285K
描述
M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8

阅读下载

中文翻译

获取价格

M58WR064KB7AZB6F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：VFBGA, BGA56,7X8,30针数：56
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.33
最长访问时间：70 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
启动块：BOTTOM命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B56JESD-609代码：e1
长度：9 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1部门数/规模：8,127
端子数量：56字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：4MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：VFBGA封装等效代码：BGA56,7X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：4 words并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：1.8 V
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm部门规模：4K,32K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：2 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：30
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：7.7 mmBase Number Matches：1

M58WR064KB7AZB6F 数据手册

 浏览型号M58WR064KB7AZB6F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M58WR064KB7AZB6F的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M58WR064KB7AZB6F的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M58WR064KB7AZB6F的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M58WR064KB7AZB6F的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M58WR064KB7AZB6F的Datasheet PDF文件第7页 
M58WRxxxKT/B - 32Mb - 64Mb, 1.8V, x16 Multi Bank Burst, Flash  
Features  
M58WRxxxKT/B - 32Mb & 64Mb, 1.8V, x16  
Multi Bank Burst, Flash  
M58WR032KT, M58WR064KT,  
M58WR032KB, M58WR064KB  
Features  
• Supply voltage  
– V = 1.7V to 2V for PROGRAM, ERASE and READ  
DD  
– V  
= 1.7V to 2V for I/O buffers  
DDQ  
– V = 9V for fast program  
PP  
• SYCHRONOUS/ASYCHRONOUS READ  
– SYCHRONOUS BURST READ mode: 66 MHz  
– Asynchronous/synchronous page READ mode  
– Random access times: 70ns  
• SYCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
• Programming time  
– 10µs by word typical for fast factory program  
– Double/quadruple word program option  
– Enhanced factory program options  
• Memory blocks  
– Multiple bank memory array: 4Mb banks  
– Parameter blocks (top or bottom location)  
• Dual operations  
– PROGRAM ERASE in one bank while read in others  
– No delay between read and write operations  
• Block locking  
– All blocks locked at power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP# for block lock-down  
• Security  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
• Common Flash interface (CFI)  
• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block  
• Electronic signature  
• Manufacturer code: 20h  
– Device codes:  
M58WR032KT (top): 8814h  
M58WR032KB (bottom): 8815h  
M58WR064KT (top): 8810h  
M58WR064KB (bottom): 8811h  
• RoHS compliant packages available  
• Automotive Certified Parts Available  
PDF: 09005aef848ee55b / Source: 09005aef848ee58b  
M58WRxxxKT/B - 32Mb - 64Mb, 1.8V, x16 multi bank burst, Flash - Rev. G 10/11 EN  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2007 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
1
1234567...111

中文翻译

下载PDF

M58WR064KB7AZB6F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PF48F3000P0ZBQ0A MICRON

功能相似

 64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, Multilevel Cell, Parallel NOR Flash Memory
M58WR064KB70ZB6E MICRON

功能相似

 M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8

与M58WR064KB7AZB6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58WR064KL NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL60ZA6E NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL60ZA6U NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL70ZA6E NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL70ZA6U NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KT70ZB6F MICRON

获取价格

 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KT7AZB6E MICRON

获取价格

 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KT7AZB6F MICRON

获取价格

 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KU NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KU60ZA6E NUMONYX

获取价格

 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

与M58WR064KB7AZB6F相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证