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M58WR064KB7AZB6E

更新时间： 2024-11-14 15:17:15
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镁光 - MICRON /
页数 文件大小 规格书
111页 3285K
描述
M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8

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M58WR064KB7AZB6E 数据手册

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M58WRxxxKT/B - 32Mb - 64Mb, 1.8V, x16 Multi Bank Burst, Flash  
Features  
M58WRxxxKT/B - 32Mb & 64Mb, 1.8V, x16  
Multi Bank Burst, Flash  
M58WR032KT, M58WR064KT,  
M58WR032KB, M58WR064KB  
Features  
• Supply voltage  
– V = 1.7V to 2V for PROGRAM, ERASE and READ  
DD  
– V  
= 1.7V to 2V for I/O buffers  
DDQ  
– V = 9V for fast program  
PP  
• SYCHRONOUS/ASYCHRONOUS READ  
– SYCHRONOUS BURST READ mode: 66 MHz  
– Asynchronous/synchronous page READ mode  
– Random access times: 70ns  
• SYCHRONOUS BURST READ SUSPEND  
• Programming time  
– 10µs by word typical for fast factory program  
– Double/quadruple word program option  
– Enhanced factory program options  
• Memory blocks  
– Multiple bank memory array: 4Mb banks  
– Parameter blocks (top or bottom location)  
• Dual operations  
– PROGRAM ERASE in one bank while read in others  
– No delay between read and write operations  
• Block locking  
– All blocks locked at power-up  
– Any combination of blocks can be locked  
– WP# for block lock-down  
• Security  
– 128 bit user programmable OTP cells  
– 64 bit unique device number  
• Common Flash interface (CFI)  
• 100,000 PROGRAM/ERASE cycles per block  
• Electronic signature  
• Manufacturer code: 20h  
– Device codes:  
M58WR032KT (top): 8814h  
M58WR032KB (bottom): 8815h  
M58WR064KT (top): 8810h  
M58WR064KB (bottom): 8811h  
• RoHS compliant packages available  
• Automotive Certified Parts Available  
PDF: 09005aef848ee55b / Source: 09005aef848ee58b  
M58WRxxxKT/B - 32Mb - 64Mb, 1.8V, x16 multi bank burst, Flash - Rev. G 10/11 EN  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2007 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58WR064KB7AZB6F MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KL NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL60ZA6E NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL60ZA6U NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL70ZA6E NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KL70ZA6U NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories
M58WR064KT70ZB6F MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KT7AZB6E MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KT7AZB6F MICRON

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 		M58WR032KT, M58WR064KT, M58WR032KB, M58WR064KB; used in Non-Mux 88-ball JX68, JX69, JXB8
M58WR064KU NUMONYX

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 		16-, 32- and 64-Mbit (x 16, Mux I/O, Multiple Bank, Burst) 1.8 V supply Flash memories

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