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M58LW128H115ZB1E

更新时间： 2024-11-13 15:39:55
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 内存集成电路
页数 文件大小 规格书
65页 921K
描述
Flash, 8MX16, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56

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M58LW128H115ZB1E 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56针数：56
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.52
最长访问时间：115 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE
JESD-30 代码：R-PBGA-B56JESD-609代码：e1
长度：11 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：16
功能数量：1端子数量：56
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：BALL端子节距：0.75 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
类型：NOR TYPE宽度：9 mm
Base Number Matches：1

M58LW128H115ZB1E 数据手册

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M58LW128H  
128 Mbit (8Mb x16, Uniform Block, Burst)  
3V Supply Flash Memory  
PRODUCT PREVIEW  
FEATURES SUMMARY  
■ WIDE x16 DATA BUS for HIGH BANDWIDTH  
■ SUPPLY VOLTAGE  
Figure 1. Packages  
– V = 2.7 to 3.6V core supply voltage for Pro-  
DD  
gram, Erase and Read operations  
FBGA  
– V  
= 1.8 to V for I/O Buffers  
DD  
DDQ  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst Read  
VFBGA56 (ZB)  
11 x 9mm  
– Asynchronous Random Read  
– Asynchronous Address Latch Controlled  
Read  
– Page Read  
TBGA  
■ ACCESS TIME  
– 8 or 16 Word Synchronous Burst Mode up to  
66MHz  
– 8 Word Asynchronous Page Mode 115/25ns  
– Random Read 115ns  
TBGA64 (ZA)  
10 x 13mm  
■ PROGRAMMING TIME  
– 32 Word Write Buffer  
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 0020h  
– 12µs Word effective programming time  
■ 128 UNIFORM 64 KWord MEMORY BLOCKS  
■ BLOCK PROTECTION  
– Device Code M58LW128H: 8802h  
– All blocks protected at Power up  
– Blocks can be protected individually and  
instantly  
– WP for Block Lock-Down  
■ SECURITY  
– V  
Enabled Data Protection  
PEN  
– 2 Kbit Protection Register with 64 bit Unique  
Code in OTP Area  
■ PROGRAM and ERASE SUSPEND  
■ PROGRAMMABLE WAIT SIGNAL  
■ COMMON FLASH INTERFACE  
■ 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per  
BLOCK  
August 2003  
1/65  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...65

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与M58LW128H115ZB1E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW128H115ZB1F NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56
M58LW128H115ZB1T NUMONYX

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
M58LW128H115ZB6 NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
M58LW128H115ZB6E NUMONYX

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 		8MX16 FLASH 3V PROM, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56
M58LW128H115ZB6F NUMONYX

获取价格

 		8MX16 FLASH 3V PROM, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56
M58LW128H115ZB6T NUMONYX

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 		Flash, 8MX16, 115ns, PBGA56, 11 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
M58LW64D STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (8Mb x8, 4Mb x16, Uniform Block) 3V Supply Flash Memory
M58MR016C STMICROELECTRONICS

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 		16 Mbit 1Mb x16, Mux I/O, Dual Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58MR016C100ZC6T STMICROELECTRONICS

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 		1MX16 FLASH 1.8V PROM, 20ns, PBGA48, 0.50 MM PITCH, TFBGA-48
M58MR016C120ZC6T STMICROELECTRONICS

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 		1MX16 FLASH 1.8V PROM, 20ns, PBGA48, 0.50 MM PITCH, TFBGA-48

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