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Datasheet > 存储 > 闪存> M58LW064B150ZA6T
M58LW064B150ZA6T PDF预览

M58LW064B150ZA6T

更新时间： 2024-11-12 22:36:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
53页 318K
描述
64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories

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M58LW064B150ZA6T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：1 MM PITCH, TBGA-80
针数：80Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.45Is Samacsys：N
最长访问时间：150 ns其他特性：SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE
备用内存宽度：16命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B80JESD-609代码：e1
长度：13 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：32
功能数量：1部门数/规模：64
端子数量：80字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TBGA封装等效代码：BGA80,8X10,40
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
页面大小：2/4 words并行/串行：PARALLEL
电源：2/3.3,3/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified就绪/忙碌：YES
座面最大高度：1.2 mm部门规模：1M
最大待机电流：0.000001 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.05 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)
端子形式：BALL端子节距：1 mm
端子位置：BOTTOM切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M58LW064B150ZA6T 数据手册

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M58LW064A  
M58LW064B  
64 Mbit (x16 and x16/x32, Block Erase)  
Low Voltage Flash Memories  
PRODUCT PREVIEW  
■ M58LW064A x16 organisation,  
■ M58LW064B x16/x32 selectable  
86  
■ MULTI-BIT CELL for HIGH DENSITY and LOW  
COST  
■ SUPPLY VOLTAGE  
1
– V = 2.7V to 3.6V Supply Voltage  
DD  
TSOP56 (NF)  
TSOP86 II (NH)  
– V  
= 2.7V to 3.6V or 1.8V to 2.5V  
DDQ  
Input/Output Supply Voltage  
■ PIPELINED SYNCHRONOUS BURST  
INTERFACE  
FBGA  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
– Asynchronous Random and Latch Enabled  
Controlled Read, with Page Read  
PQFP80 (T)  
LBGA54 (ZA)  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 66MHz  
Figure 1. Logic Diagram  
– Asynchronous Page Mode Read 150/25ns,  
Random Read 150ns  
V
V
DD DDQ  
■ PROGRAMMING TIME  
22  
32  
– 16 Word or 8 Double-Word Write Buffer  
– 12us Word effective programming time  
■ MEMORY BLOCKS  
A1-A22  
DQ0-DQ31  
V
PP  
– 64 Equal blocks of 1 Mbit  
W
E
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
RB  
R
M58LW064A  
M58LW064B  
G
– Device Code M58LW064A: 17h  
– Device Code M58LW064B: 14h  
RP  
L
DESCRIPTION  
The M58LW064 is a non-volatile Flash memory  
that may be erased electrically at the block level  
and programmed in-system on a 16 Word or 8  
Double-Word basis using a 2.7V to 3.6V supply for  
the circuit and a supply down to 1.8V for the Input  
and Output buffers. The M58LW064A is organised  
as 4M by 16 bit. The M58LW064B has 4M by 16  
bit or 2M by 32 bit organisation selectable by the  
Word Organisation WORD input. Both devices are  
internally configured as 64 blocks of 1 Mbit each.  
B
K
WORD (1)  
V
SS  
AI03223  
Note: 1. Only on M58LW064B.  
May 2000  
1/53  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...53

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与M58LW064B150ZA6T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW064BNF STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064BNH STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
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M58LW064BZA STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory
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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
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M58LW064C110N6 STMICROELECTRONICS

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 		暂无描述
M58LW064C110N6E STMICROELECTRONICS

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