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Datasheet > 存储 > 闪存> M58LW064B150ZA6
M58LW064B150ZA6 PDF预览

M58LW064B150ZA6

更新时间： 2024-09-25 13:10:07
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路
页数 文件大小 规格书
53页 318K
描述
2MX32 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA80, 1 MM PITCH, TBGA-80

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M58LW064B150ZA6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：1 MM PITCH, TBGA-80
针数：80Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.45最长访问时间：150 ns
其他特性：SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION ALSO POSSIBLE备用内存宽度：16
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B80
JESD-609代码：e1长度：13 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：32功能数量：1
部门数/规模：64端子数量：80
字数：2097152 words字数代码：2000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：2MX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装等效代码：BGA80,8X10,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE页面大小：2/4 words
并行/串行：PARALLEL电源：2/3.3,3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：1.2 mm
部门规模：1M最大待机电流：0.000001 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5)端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
切换位：NO类型：NOR TYPE
宽度：10 mmBase Number Matches：1

M58LW064B150ZA6 数据手册

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M58LW064A  
M58LW064B  
64 Mbit (x16 and x16/x32, Block Erase)  
Low Voltage Flash Memories  
PRODUCT PREVIEW  
■ M58LW064A x16 organisation,  
■ M58LW064B x16/x32 selectable  
86  
■ MULTI-BIT CELL for HIGH DENSITY and LOW  
COST  
■ SUPPLY VOLTAGE  
1
– V = 2.7V to 3.6V Supply Voltage  
DD  
TSOP56 (NF)  
TSOP86 II (NH)  
– V  
= 2.7V to 3.6V or 1.8V to 2.5V  
DDQ  
Input/Output Supply Voltage  
■ PIPELINED SYNCHRONOUS BURST  
INTERFACE  
FBGA  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
– Asynchronous Random and Latch Enabled  
Controlled Read, with Page Read  
PQFP80 (T)  
LBGA54 (ZA)  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 66MHz  
Figure 1. Logic Diagram  
– Asynchronous Page Mode Read 150/25ns,  
Random Read 150ns  
V
V
DD DDQ  
■ PROGRAMMING TIME  
22  
32  
– 16 Word or 8 Double-Word Write Buffer  
– 12us Word effective programming time  
■ MEMORY BLOCKS  
A1-A22  
DQ0-DQ31  
V
PP  
– 64 Equal blocks of 1 Mbit  
W
E
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
RB  
R
M58LW064A  
M58LW064B  
G
– Device Code M58LW064A: 17h  
– Device Code M58LW064B: 14h  
RP  
L
DESCRIPTION  
The M58LW064 is a non-volatile Flash memory  
that may be erased electrically at the block level  
and programmed in-system on a 16 Word or 8  
Double-Word basis using a 2.7V to 3.6V supply for  
the circuit and a supply down to 1.8V for the Input  
and Output buffers. The M58LW064A is organised  
as 4M by 16 bit. The M58LW064B has 4M by 16  
bit or 2M by 32 bit organisation selectable by the  
Word Organisation WORD input. Both devices are  
internally configured as 64 blocks of 1 Mbit each.  
B
K
WORD (1)  
V
SS  
AI03223  
Note: 1. Only on M58LW064B.  
May 2000  
1/53  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...53

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW064B150ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064BNF STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064BNH STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064BT STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064BZA STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064C STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory
M58LW064C110N1 STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
M58LW064C110N1E STMICROELECTRONICS

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 		4MX16 FLASH 3V PROM, 110ns, PDSO56, 14 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-56
M58LW064C110N1T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit (4Mb x16, Uniform Block, Burst) 3V Supply Flash Memory
M58LW064C110N6 STMICROELECTRONICS

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