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Datasheet > 存储 > 闪存> M58LW064B150NH6T
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M58LW064B150NH6T

更新时间： 2024-11-12 22:29:03
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
53页 318K
描述
64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories

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M58LW064B150NH6T 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2-86针数：86
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.45
Is Samacsys：N最长访问时间：150 ns
其他特性：ALSO SUPPORTS SYNCHRONOUS MODE OF OPERATION备用内存宽度：16
JESD-30 代码：R-PDSO-G86长度：22.22 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：32功能数量：1
端子数量：86字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX32封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

M58LW064B150NH6T 数据手册

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M58LW064A  
M58LW064B  
64 Mbit (x16 and x16/x32, Block Erase)  
Low Voltage Flash Memories  
PRODUCT PREVIEW  
■ M58LW064A x16 organisation,  
■ M58LW064B x16/x32 selectable  
86  
■ MULTI-BIT CELL for HIGH DENSITY and LOW  
COST  
■ SUPPLY VOLTAGE  
1
– V = 2.7V to 3.6V Supply Voltage  
DD  
TSOP56 (NF)  
TSOP86 II (NH)  
– V  
= 2.7V to 3.6V or 1.8V to 2.5V  
DDQ  
Input/Output Supply Voltage  
■ PIPELINED SYNCHRONOUS BURST  
INTERFACE  
FBGA  
■ SYNCHRONOUS/ASYNCHRONOUS READ  
– Synchronous Burst read  
– Asynchronous Random and Latch Enabled  
Controlled Read, with Page Read  
PQFP80 (T)  
LBGA54 (ZA)  
■ ACCESS TIME  
– Synchronous Burst Read up to 66MHz  
Figure 1. Logic Diagram  
– Asynchronous Page Mode Read 150/25ns,  
Random Read 150ns  
V
V
DD DDQ  
■ PROGRAMMING TIME  
22  
32  
– 16 Word or 8 Double-Word Write Buffer  
– 12us Word effective programming time  
■ MEMORY BLOCKS  
A1-A22  
DQ0-DQ31  
V
PP  
– 64 Equal blocks of 1 Mbit  
W
E
■ ELECTRONIC SIGNATURE  
– Manufacturer Code: 20h  
RB  
R
M58LW064A  
M58LW064B  
G
– Device Code M58LW064A: 17h  
– Device Code M58LW064B: 14h  
RP  
L
DESCRIPTION  
The M58LW064 is a non-volatile Flash memory  
that may be erased electrically at the block level  
and programmed in-system on a 16 Word or 8  
Double-Word basis using a 2.7V to 3.6V supply for  
the circuit and a supply down to 1.8V for the Input  
and Output buffers. The M58LW064A is organised  
as 4M by 16 bit. The M58LW064B has 4M by 16  
bit or 2M by 32 bit organisation selectable by the  
Word Organisation WORD input. Both devices are  
internally configured as 64 blocks of 1 Mbit each.  
B
K
WORD (1)  
V
SS  
AI03223  
Note: 1. Only on M58LW064B.  
May 2000  
1/53  
This is preliminary information on a new product now in development. Details are subject to change without notice.  
1234567...53

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58LW064B150T1T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064B150T6 STMICROELECTRONICS

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M58LW064B150T6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064B150ZA1T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
M58LW064B150ZA6 STMICROELECTRONICS

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 		2MX32 FLASH 3V PROM, 150ns, PBGA80, 1 MM PITCH, TBGA-80
M58LW064B150ZA6T STMICROELECTRONICS

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 		64 Mbit x16 and x16/x32, Block Erase Low Voltage Flash Memories
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