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M58LT256JSB8ZA6E

更新时间： 2024-02-20 21:20:06

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		闪存存储内存集成电路
页数	文件大小	规格书
106页	839K
描述
256 Mbit (16 Mb 】 16, multiple bank, multilevel, burst) 1.8 V supply, secure Flash memories

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M58LT256JSB8ZA6E 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	BGA
包装说明：	10 X 13 MM, 1 MM PITCH, TBGA-64	针数：	64
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	85 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B64
JESD-609代码：	e0	长度：	13 mm
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
部门数/规模：	4,255	端子数量：	64
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TBGA
封装等效代码：	BGA64,8X8,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE	页面大小：	8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	1.8,3/3.3 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.00011 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.077 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

M58LT256JSB8ZA6E 数据手册

M58LT256JST

M58LT256JSB

256 Mbit (16 Mb × 16, multiple bank, multilevel, burst)

1.8 V supply, secure Flash memories

Features

■ Supply voltage

– V = 1.7 V to 2.0 V for program, erase

and read

– V

= 2.7 V to 3.6 V for I/O Buffers

DDQ

BGA

– V = 9 V for fast program

■ Synchronous / Asynchronous Read

– Synchronous Burst Read mode: 52 MHz

– Random access: 85 ns

TBGA64 (ZA)

10 x 13 mm

– Asynchronous Page Read mode

■ Synchronous Burst Read Suspend

■ Programming time

– 5 µs typical Word program time using

Buffer Enhanced Factory Program

command

■ Electronic signature

– Manufacturer Code: 20h

– Top Device Codes:

M58LT256JST: 885Eh

■ Memory organization

– Multiple Bank memory array: 16 Mbit banks

– Parameter Blocks (top or bottom location)

– Bottom Device Codes

M58LT256JSB: 885Fh

■ Dual operations

■ TBGA64 package

– program/erase in one Bank while read in

others

– ECOPACK® compliant

– No delay between read and write

operations

■ Block protection

– All blocks protected at Power-up

– Any combination of blocks can be protected

with zero latency

– Absolute Write Protection with V = V

■ Security

– Software security features

– 64 bit unique device number

– 2112 bit user programmable OTP Cells

■ Common Flash Interface (CFI)

■ 100 000 program/erase cycles per block

June 2007

Rev 2

1/106

www.st.com

12 3 4 5 6 7...106

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