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M58BW032BT45ZA3T

更新时间： 2024-11-19 20:26:07

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恒忆 - NUMONYX		/
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描述
Flash, 1MX32, 45ns, PBGA80, 10 X 8 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80

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M58BW032BT45ZA3T 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	10 X 8 MM, 1 MM PITCH, LBGA-80	针数：	80
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.49
最长访问时间：	45 ns	其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B80	长度：	12 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	32	功能数量：	1
端子数量：	80	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.7 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

M58BW032BT45ZA3T 数据手册

M58BW032BT, M58BW032BB

M58BW032DT, M58BW032DB

32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst)

3.3V Supply Flash Memory

PRELIMINARY DATA

FEATURES SUMMARY

■

SUPPLY VOLTAGE

Figure 1. Packages

–

V_DD= 3.0V to 3.6V for Program, Erase

and Read

V_DDQ= V_DDQIN= 1.6V to 3.6V for I/O

Buffers

■

HIGH PERFORMANCE

–

Access Time: 45, 55 and 60ns

75MHz Effective Zero Wait-State Burst

Read

PQFP80 (T)

–

Synchronous Burst Reads

Asynchronous Page Reads

■

MEMORY ORGANIZATION

– Eight 64 Kbit small parameter Blocks

BGA

– Four 128Kbit large parameter Blocks (of

which one is OTP)

– Sixty-two 512Kbit main Blocks

LBGA80 (ZA)

10 x 8 ball array

■

HARDWARE BLOCK PROTECTION

–

WP pin Lock Program and Erase

V_PENsignal for Program/Erase Enable

SOFTWARE BLOCK PROTECTION

■

ELECTRONIC SIGNATURE

–

Tuning Protection to Lock Program and

Erase with 64-bit User Programmable

Password (M58BW032B version only)

–

Manufacturer Code: 20h

Top Device Code M58BW032xT: 8838h

Bottom Device Code M58BW032xB:

8837h

■

SECURITY

–

64-bit Unique Device Identifier (UID)

OPERATING TEMPERATURE RANGE

FAST PROGRAMMING

–

Automotive (Grade 3): –40 to 125°C

Industrial (Grade 6): –40 to 90°C

–

Write to Buffer and Program capability

OPTIMIZED FOR FDI DRIVERS

–

Common Flash Interface (CFI)

Fast Program/Erase Suspend feature in

each block

■

LOW POWER CONSUMPTION

100µA Typical Standby

–

November 2004

1/9

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to change without notice.

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