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Datasheet > 存储 > 闪存> M58BW016FT7ZA3F
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M58BW016FT7ZA3F

更新时间： 2024-11-19 13:10:07
品牌 Logo 应用领域
恒忆 - NUMONYX 闪存内存集成电路
页数 文件大小 规格书
70页 1354K
描述
Flash, 512KX32, 70ns, PBGA80, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, LBGA-80

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M58BW016FT7ZA3F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：LBGA, BGA80,8X10,40针数：80
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.67
最长访问时间：70 ns其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块：TOP命令用户界面：YES
通用闪存接口：YES数据轮询：NO
JESD-30 代码：R-PBGA-B80长度：12 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：32功能数量：1
部门数/规模：8,31端子数量：80
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX32
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LBGA
封装等效代码：BGA80,8X10,40封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3,3/3.3 V
编程电压：3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm部门规模：2K,16K
最大待机电流：0.000005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.04 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：10 mm
Base Number Matches：1

M58BW016FT7ZA3F 数据手册

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M58BW016DB M58BW016DT  
M58BW016FT M58BW016FB  
16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst)  
3 V supply Flash memories  
Features  
■ Supply voltage  
– V = 2.7 V to 3.6 V for program, erase  
DD  
and read  
– V  
= V  
= 2.4 V to 3.6 V for I/O  
DDQIN  
DDQ  
buffers  
– V = 12 V for fast program (optional)  
PP  
■ High performance  
– Access times: 70, 80 ns  
– 56 MHz effective zero wait-state burst read  
– Synchronous burst read  
PQFP80 (T)  
LBGA  
– Asynchronous page read  
■ Hardware block protection  
– WP pin for write protect of the 4 outermost  
parameter blocks and all main blocks  
– RP pin for write protect of all blocks  
■ Optimized for FDI drivers  
LBGA80 10 × 12 mm  
– Fast program / erase suspend latency  
time < 6 µs  
– Common Flash interface  
■ Memory blocks  
– 8 parameters blocks (top or bottom)  
– 31 main blocks  
■ Low power consumption  
– 5 µA typical deep power-down  
– 60 µA typical standby for M58BW016DT/B  
150 µA typical standby for M58BW016FT/B  
– Automatic standby after asynchronous read  
■ Electronic signature  
– Manufacturer code: 20h  
– Top device code: 8836h  
– Bottom device code: 8835h  
■ 100 K write/erase cycling + 20 years data  
retention (minimum)  
■ High reliability level with over 1 M write/erase  
cycling sustained  
®
■ ECOPACK packages available  
March 2008  
Rev 17  
1/70  
www.numonyx.com  
1
1234567...70

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M58BW016FT7ZA3FF NUMONYX

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 		16 Mbit (512 Kbit x 32, boot block, burst) 3 V supply Flash memories
M58BW016FT7ZA3FT NUMONYX

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M58BW016FT80T3FF STMICROELECTRONICS

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