Datasheet > 逻辑 > 栅极> M54HCT27F1R

M54HCT27F1R

更新时间： 2024-09-26 22:57:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发器逻辑集成电路输入元件
页数	文件大小	规格书
9页	235K
描述
TRIPLE 3-INPUT NOR GATE

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M54HCT27F1R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP14,.3	针数：	14
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.92	系列：	HCT
JESD-30 代码：	R-GDIP-T14	JESD-609代码：	e0
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	NOR GATE
最大I（ol）：	0.004 A	功能数量：	3
输入次数：	3	端子数量：	14
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	29 ns
传播延迟（tpd）：	29 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	5.08 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

M54HCT27F1R 数据手册

M54HCT27

M74HCT27

TRIPLE 3-INPUT NOR GATE

HIGH SPEED

t_PD= 9 ns (TYP.) AT V_CC= 5 V

LOW POWER DISSIPATION

I_CC= 1 µA (MAX.) AT T_A= 25 °C

COMPATIBLE WITH TTL OUTPUTS

V_IH= 2V (MIN.) V_IL= 0.8V (MAX)

OUTPUT DRIVE CAPABILITY

10 LSTTL LOADS

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE

IOH = I_OL= 4 mA (MIN.)

BALANCED PROPAGATION DELAYS

t_PLH= t_PHL

PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH

B1R

(Plastic Package)

F1R

(Ceramic Package)

M1R

(Micro Package)

C1R

(Chip Carrier)

54/74LS27

ORDER CODES :

DESCRIPTION

M54HCT27F1R

M74HCT27M1R

M74HCT27B1R

M74HCT27C1R

The M54/74HCT27 is a high speed CMOS TRIPLE

3-INPUT NOR GATE fabricated in silicon gate

C²MOS technology.

It has the same high speed performance of LSTTL

combined with true CMOS low power consumption.

The internal circuit is composed of 3 stages includ-

ing bufferedoutput, which gives highnoise immunity

and a stable output. All inputs areequipped with pro-

tectioncircuits against static discharge and transient

excess voltage. This integrated circuit has input and

output characteristics that are fully compatible with

54/74 LSTTL logic families. M54/74HCT devices

are designed to directly interface HSC²MOS sys-

tems with TTL and NMOS components. They are

also plug in replacements for LSTTL devices giving

a reduction of power consumption.

PIN CONNECTIONS (top view)

INPUT AND OUTPUT EQUIVALENT CIRCUIT

NC =

No Internal

Connection

February 1993

1/9

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与M54HCT27F1R相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M54HCT30	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 INPUT NAND GATE
M54HCT30F1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	8 INPUT NAND GATE
M54HCT32	STMICROELECTRONICS	获取价格	QUAD 2-INPUT OR GATE
M54HCT32F1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	QUAD 2-INPUT OR GATE
M54HCT367	STMICROELECTRONICS	获取价格	HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
M54HCT367F1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
M54HCT368	STMICROELECTRONICS	获取价格	HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
M54HCT368F1R	STMICROELECTRONICS	获取价格	HEX BUS BUFFER 3-STATE HCT367 NONINVERTING, HCT368 INVERTING
M54HCT373	STMICROELECTRONICS	获取价格	OCTAL D-TYPE LATCH WITH 3 STATE OUTPUT HCT373 NON INVERTING - HCT533 INVERTING
M54HCT373D	STMICROELECTRONICS	获取价格	Rad-hard high speed 2 to 6 V CMOS logic series

与M54HCT27F1R相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

16
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

13
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

17
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

26

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M54HCT27F1R

M54HCT27F1R 技术参数

M54HCT27F1R 数据手册

与M54HCT27F1R相关器件

与M54HCT27F1R相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

M54HCT27F1R

M54HCT27F1R 技术参数

M54HCT27F1R 数据手册

与M54HCT27F1R相关器件

与M54HCT27F1R相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？