Datasheet > 逻辑 > 栅极> M54HC07F1R

M54HC07F1R

更新时间： 2024-09-24 22:06:47

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅极触发器逻辑集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	230K
描述
HEX BUFFER OPEN DRAIN

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M54HC07F1R 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	CERAMIC, DIP-14	针数：	14
Reach Compliance Code：	not_compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
系列：	HC/UH	JESD-30 代码：	R-GDIP-T14
JESD-609代码：	e0	负载电容（CL）：	50 pF
逻辑集成电路类型：	BUFFER	最大I（ol）：	0.004 A
功能数量：	6	输入次数：	1
端子数量：	14	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	输出特性：	OPEN-DRAIN
封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP14,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2/6 V	传播延迟（tpd）：	27 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	5.08 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

M54HC07F1R 数据手册

M54HC07

M74HC07

HEX BUFFER (OPEN DRAIN)

HIGH SPEED

t_PD= 5 ns (TYP.) AT V_CC= 5 V

LOW POWER DISSIPATION

I_CC= 1 µA (MAX.) AT T_A= 25 °C

HIGH NOISE IMMUNITY

V_NIH= V_NIL= 28 % V_CC(MIN.)

OUTPUT DRIVE CAPABILITY

10 LSTTL LOADS

WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE

V_CC(OPR) = 2 V TO 6 V

PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH

54/74LS07

B1R

(Plastic Package)

F1R

(Ceramic Package)

M1R

(Micro Package)

C1R

(Chip Carrier)

ORDER CODES :

M54HC07F1R

M74HC07M1R

M74HC07B1R

M74HC07C1R

PIN CONNECTIONS (top view)

DESCRIPTION

The M54/74HC07 is a high speed CMOS HEX

OPEN DRAIN BUFFER fabricated in silicon gate

C²MOS technology. It has the same highspeed per-

formance of LSTTL combined with true CMOS low

power consumption.

The internal circuit is composed of 2 stages includ-

ing buffer output, which enables high noise im-

munity and stable output. All inputs are equipped

with circuits against static discharge and transient

excess voltage.

INPUT AND OUTPUT EQUIVALENT CIRCUIT

NC =

No Internal

Connection

February 1993

1/9

12 3 4 5 6 7...9

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