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M54HC03D1 PDF预览

M54HC03D1

更新时间： 2024-09-25 04:18:19
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路输入元件
页数 文件大小 规格书
7页 106K
描述
RAD-HARD QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE

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M54HC03D1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：DIP, DIP14,.3针数：14
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.26Is Samacsys：N
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-CDIP-T14
JESD-609代码：e0长度：19 mm
负载电容（CL）：50 pF逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.004 A功能数量：4
输入次数：2端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出特性：OPEN-DRAIN封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：DIP封装等效代码：DIP14,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：22 ns传播延迟（tpd）：90 ns
认证状态：Not Qualified施密特触发器：NO
座面最大高度：3.7 mm子类别：Gates
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：4.5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED总剂量：50k Rad(Si) V
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

M54HC03D1 数据手册

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M54HC03  
RAD-HARD QUAD 2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE  
■
■
■
■
■
■
HIGH SPEED:  
= 8ns (TYP.) at V = 6V  
t
PD  
CC  
LOW POWER DISSIPATION:  
= 1µA(MAX.) at T =25°C  
I
CC  
A
HIGH NOISE IMMUNITY:  
= V = 28% V (MIN.)  
V
NIH  
NIL  
CC  
DILC-14  
FPC-14  
BALANCED PROPAGATION DELAYS:  
t
t
PLH  
PHL  
WIDE OPERATING VOLTAGE RANGE:  
(OPR) = 2V to 6V  
ORDER CODES  
PACKAGE  
V
CC  
PIN AND FUNCTION COMPATIBLE WITH  
54 SERIES 03  
SPACE GRADE-1: ESA SCC QUALIFIED  
50 krad QUALIFIED, 100 krad AVAILABLE ON  
REQUEST  
FM  
EM  
DILC  
FPC  
M54HC03D  
M54HC03K  
M54HC03D1  
M54HC03K1  
■
■
The internal circuit is composed of 3 stages  
including buffer output, which enables high noise  
immunity and stable output. This device can, with  
an external pull-up resistor, be used in wired AND  
configuration. This device can be also used as a  
led driver and in any other application requiring a  
current sink.  
■
■
NO SEL UNDER HIGH LET HEAVY IONS  
IRRADIATION  
DEVICE FULLY COMPLIANT WITH  
SCC-9201-114  
DESCRIPTION  
The M54HC03 is an high speed CMOS QUAD  
2-INPUT OPEN DRAIN NAND GATE fabricated  
with silicon gate C MOS technology.  
All inputs are equipped with protection circuits  
against static discharge and transient excess  
voltage.  
2
PIN CONNECTION  
March 2004  
1/7  
1234567

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M54HC03D1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
MC74HC03ADG ONSEMI

功能相似

 Quad 2−Input NAND Gate with Open−Drain Outputs High−Performance Silicon&
CD74HC03M TI

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 High Speed CMOS Logic Quad 2-Input NAND Gate with Open Drain
74HC03D NXP

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 Quad 2-input NAND gate

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