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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> M54563P
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M54563P

更新时间： 2024-11-19 22:46:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体外围驱动器驱动程序和接口二极管接口集成电路晶体管达林顿晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
8-UNIT 500mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE

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M54563P 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP, DIP18,.3
针数：18Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.69Is Samacsys：N
内置保护：TRANSIENT驱动器位数：8
接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVERJESD-30 代码：R-PDIP-T18
JESD-609代码：e0长度：24 mm
功能数量：8端子数量：18
最高工作温度：75 °C最低工作温度：-20 °C
输出电流流向：SOURCE最大输出电流：0.35 A
标称输出峰值电流：0.35 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：DIP封装等效代码：DIP18,.3
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：50 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.5 mm
子类别：Peripheral Drivers最大供电电压：50 V
最小供电电压：标称供电电压：10 V
表面贴装：NO技术：BIPOLAR
温度等级：COMMERCIAL EXTENDED端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

M54563P 数据手册

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MITSUBISHI SEMICONDUCTOR <TRANSISTOR ARRAY>  
M54563P/FP  
8-UNIT 500mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATION  
M54563FP is an eight-circuit output-sourcing Darlington  
transistor array. The circuits are made of PNP and NPN tran-  
sistors. This semiconductor integrated circuit performs high-  
current driving with extremely low input-current supply.  
IN1→  
IN2→  
IN3→  
IN4→  
IN5→  
IN6→  
IN7→  
IN8→  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
18 →O1  
17 →O2  
16 →O3  
15 →O4  
14 →O5  
13 →O6  
12 →O7  
INPUT  
OUTPUT  
FEATURES  
Á High breakdown voltage (BVCEO ≥ 50V)  
Á High-current driving (Io(max) = –500mA)  
Á With clamping diodes  
→O8  
11  
10  
GND  
V
S
Á
Driving available with PMOS IC output of 6 ~ 16V or with TTL output  
Package type 18P4G(P)  
Á Wide operating temperature range (Ta = –20 to +75°C)  
Á Output current-sourcing type  
NC  
1
2
20 NC  
19 →O1  
18 →O2  
IN1→  
IN2→  
IN3→  
IN4→  
IN5→  
IN6→  
IN7→  
IN8→  
APPLICATION  
3
Drives of relays, printers, LEDs, fluorescent display tubes  
and lamps, and interfaces between MOS-bipolar logic sys-  
tems and relays, solenoids, or small motors  
→O3  
17  
4
5
16 →O4  
15 →O5  
OUTPUT  
INPUT  
6
7
14  
13 →O7  
→O8  
→O6  
8
FUNCTION  
9
12  
11 GND  
The M54563P and M54563FP each have eight circuits,  
which are made of input inverters and current-sourcing out-  
puts. The outputs are made of PNP transistors and NPN  
Darlington transistors. The PNP transistor base current is  
constant. A clamping diode is provided between each output  
and GND. VS and GND are used commonly among the eight  
circuits.  
10  
V
S
Package type 20P2N-A(FP)  
NC : No connection  
CIRCUIT DIAGRAM  
The inputs have resistance of 3kΩ, and voltage of up to 10V  
is applicable. Output current is 500 mA maximum. Supply  
voltage VS is 50V maximum.  
VS  
20K  
The M54563FP is enclosed in a molded small flat package,  
enabling space-saving design.  
3K  
INPUT  
7.2K  
1.5K  
3K  
OUTPUT  
GND  
The eight circuits share the VS and GND.  
The diode, indicated with the dotted line, is parasitic, and cannot  
be used.  
Unit : Ω  
Aug. 1999  
1234

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M54563P 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS1-2981RH-8 INTERSIL

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 Radiation Hardened 8-Channel Source Driver
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 8-CHANNEL SOURCE DRIVERS
UDN2981A ALLEGRO

功能相似

 8-CHANNEL SOURCE DRIVERS

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M54563P_12 MITSUBISHI

获取价格

 		8-UNIT 500mA SOURCE TYPE DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY WITH CLAMP DIODE
M54563WP MITSUBISHI

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