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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | TFBGA, |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.7 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 8388608 words |
| 字数代码： | 8000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 8MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TFBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M53D128168A-6BG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| M53D128168A-6BIG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, BGA-60 |
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| M53D128168A-7.5BAG | ESMT |
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2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-7.5BAIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-7.5BG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-7.5BG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B |
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| M53D128168A-7.5BIG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, BGA-60 |
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| M53D128324A-7.5BG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA144, 12 X 12 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| M53D1G1664A | ESMT |
获取价格 |
16M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D1G1664A-5BG | ESMT |
获取价格 |
16M x16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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