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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TFBGA, | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.57 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 9 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX16 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M53D128168A-10BAIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-10BG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-5BG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B |
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| M53D128168A-5BIG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, BGA-60 |
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| M53D128168A-6BG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, |
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| M53D128168A-6BIG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, BGA-60 |
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| M53D128168A-7.5BAG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-7.5BAIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
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| M53D128168A-7.5BG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile DDR SDRAM |
|
| M53D128168A-7.5BG2E | ESMT |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, B |
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