Datasheet > M53233200BE0-C50

M53233200BE0-C50

更新时间： 2024-11-11 20:11:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	449K
描述
EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

M53233200BE0-C50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
最大待机电流：	0.016 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.976 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

DRAM MODULE

M53233200BE0/BJ0-C

4Byte 32Mx32 SIMM

(16Mx4 base)

Revision 0.1

June 1998

12 3 4 5 6 7...21

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M53233200BE0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53233200BJ0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53233200BJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53233200CE0-C50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
M53233200CE0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
M53233200CJ0-C60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM Module, 32MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
M-532-BP	LITTELFUSE	获取价格	Littelfuse Push Pull Switches are designed for universal applications within harsh environ
M-532CT	NEC	获取价格	DC Line Fileters
M-532CT	KEMET	获取价格	KEMET, M-500CT, DC Line Filters, Common Mode
M53-30101HLF	TTELEC	获取价格	High Power Low Cost Inductors