5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | LFBGA, | 针数： | 90 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.44 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | DUAL BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 8 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 | 长度： | 13 mm |
| 内存密度： | 33554432 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 32 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 1048576 words | 字数代码： | 1000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX32 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LFBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.4 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M52S32321A-10BIG | ESMT |
获取价格 |
512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S32321A-6BG | ESMT |
获取价格 |
512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S32321A-6BIG | ESMT |
获取价格 |
512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S32321A-7.5BG | ESMT |
获取价格 |
512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S32321A-7.5BIG | ESMT |
获取价格 |
512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S64164A | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S64164A-10BG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S64164A-10TG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S64164A-7.5BG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
|
| M52S64164A-7.5TG | ESMT |
获取价格 |
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
|
共享储能电站：数据驱动与政策引领下的黄金机遇
US1M数据手册解读：产品特性、替换型号推荐
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
