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M52S16161A

更新时间： 2024-01-25 19:00:38
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
29页 755K
描述
512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

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M52S16161A 数据手册

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ESMT  
M52S16161A  
SDRAM  
512K x 16Bit x 2Banks  
Synchronous DRAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The M52S16161A is 16,777,216 bits synchronous high  
data rate Dynamic RAM organized as 2 x 524,288 words by  
16 bits, fabricated with high performance CMOS technology.  
Synchronous design allows precise cycle control with the  
use of system clock I/O transactions are possible on every  
clock cycle. Range of operating frequencies, programmable  
burst length and programmable latencies allow the same  
device to be useful for a variety of high bandwidth, high  
performance memory system applications.  
z
z
z
z
2.5V power supply  
LVCMOS compatible with multiplexed address  
Dual banks operation  
MRS cycle with address key programs  
-
-
-
CAS Latency (1, 2 & 3 )  
Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
Burst Type (Sequential & Interleave)  
z
z
EMRS cycle with address key programs.  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
z
z
Burst Read Single-bit Write operation  
Special Function Support.  
ORDERING INFORMATION  
-
-
-
PASR (Partial Array Self Refresh )  
TCSR (Temperature compensated Self Refresh)  
DS (Driver Strength)  
MAX  
Freq.  
Part NO.  
Interface Package Comments  
50  
M52S16161A-8TG 125MHz LVCMOS  
M52S16161A-10TG 100MHz LVCMOS  
M52S16161A-8BG 125MHz LVCMOS  
M52S16161A-10BG 100MHz LVCMOS  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
z
z
z
DQM for masking  
Auto & self refresh  
32ms refresh period (2K cycle)  
TSOP(II)  
50  
TSOP(II)  
60 Ball  
VFBGA  
60 Ball  
VFBGA  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
1
2
3
4
5
6
7
VDD  
1
VSS  
DQ0  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
DQ15  
VDD  
A
B
VSS  
DQ0  
DQ1  
VSSQ  
DQ2  
DQ3  
VDDQ  
DQ4  
DQ5  
VSSQ  
DQ6  
DQ7  
VDDQ  
LDQM  
WE  
2
DQ15  
DQ14  
VSSQ  
DQ13  
DQ12  
VDDQ  
DQ11  
DQ10  
VSSQ  
DQ9  
DQ8  
VDDQ  
N.C/RFU  
UDQM  
CLK  
CKE  
N.C  
VDDQ  
VSSQ  
DQ1  
DQ2  
DQ14  
DQ13  
VSSQ  
VDDQ  
3
4
C
D
E
F
5
6
DQ4  
DQ3  
DQ5  
DQ12  
DQ10  
DQ9  
DQ11  
7
VDDQ  
VSSQ  
8
9
VSSQ  
NC  
VDDQ  
NC  
DQ6  
DQ7  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
G
H
J
DQ8  
NC  
NC  
NC  
NC  
NC  
WE  
UDQM  
LDQM  
CAS  
RAS  
CS  
NC  
CLK  
NC  
RAS  
NC  
CAS  
CS  
K
L
CKE  
BA  
A9  
A9  
A7  
NC  
A0  
NC  
BA  
A8  
M
N
P
R
A10/AP  
A0  
A8  
A7  
A10  
A1  
A6  
A1  
A2  
A5  
A6  
A5  
A4  
A2  
A3  
A3  
A4  
50PIN TSOP(II)  
(400mil x 825mil)  
(0.8 mm PIN PITCH)  
60 Ball VFBGA  
(6.4x10.1mm)  
(0.65mm ball pitch)  
VSS  
VDD  
VDD  
VSS  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : May. 2007  
Revision : 1.5 1/29  
1234567...29

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与M52S16161A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
M52S16161A_09 ESMT

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 		512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52S16161A-10BG ESMT

获取价格

 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S16161A-10TG ESMT

获取价格

 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S16161A-10TG2J ESMT

获取价格

 		Synchronous DRAM, 1MX16, 9ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M52S16161A-6TG2J ESMT

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 		Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE
M52S16161A-7.5TG2J ESMT

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 		Synchronous DRAM, 1MX16, 6ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE,
M52S16161A-8BG ESMT

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 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S16161A-8TG ESMT

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 		512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S32162A ESMT

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 		1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52S32162A_08 ESMT

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 		1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM

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