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M52S128324A-10BG

更新时间： 2024-02-02 21:54:56

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晶豪 - ESMT		动态存储器
页数	文件大小	规格书
47页	750K
描述
1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M52S128324A-10BG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.73
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G86
长度：	22.22 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

M52S128324A-10BG 数据手册

ESMT

SDRAM

M52S128324A

1M x 32 Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

FEATURES

ORDERING INFORMATION

JEDEC standard 2.5V power supply

LVTTL compatible with multiplexed address

Four banks operation

MRS cycle with address key programs

- CAS Latency (1, 2 & 3 )

- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )

- Burst Type ( Sequential & Interleave )

All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

MAX

FREQ.

Product No.

PACKAGE COMMENTS

M52S128324A-7TG 143MHz 86 TSOPII

M52S128324A-7BG 143MHz 90 FBGA

M52S128324A-10TG 100MHz 86 TSOPII

M52S128324A-10BG 100MHz 90 FBGA

Pb-free

Special function support

- PASR (Partial Array Self Refresh)

- TCSR (Temperature compensated Self Refresh)

Issued by EMRS

- DS (Driver Strength)

DQM for masking

Auto & self refresh

64ms refresh period (4K cycle)

GENERAL DESCRIPTION

The M52S128324A is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits.

Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.

Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a

variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: Mar. 2009

Revision: 1.4 1/47

12 3 4 5 6 7...47

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