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M52S128168A_08

更新时间： 2024-11-29 05:46:55

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晶豪 - ESMT		动态存储器
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47页	1134K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M52S128168A_08 数据手册

ESMT

Mobile SDRAM

M52S128168A

2M x 16 Bit x 4 Banks

Synchronous DRAM

FEATURES

ORDERING INFORMATION

2.5V power supply

LVTTL compatible with multiplexed address

Four banks operation

MRS cycle with address key programs

- CAS Latency (2 & 3)

- Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)

- Burst Type (Sequential & Interleave)

EMRS cycle with address

Product ID

Max Freq.

Package

Comments

Pb-free

M52S128168A-7TG

M52S128168A-7BG

143MHz

54 TSOP II

143MHz 54 Ball FBGA

54 TSOP II

M52S128168A-7.5BG 133MHz 54 Ball FBGA

M52S128168A-10TG 100MHz 54 TSOP II

M52S128168A-10BG 100MHz 54 Ball FBGA

Pb-free

M52S128168A-7.5TG 133MHz

Pb-free

All inputs are sampled at the positive going edge of the

system clock

Special function support

PASR (Partial Array Self Refresh)

TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

DS (Driver Strength)

DQM for masking

Auto & self refresh

64ms refresh period (4K cycle)

GENERAL DESCRIPTION

The M52S128168A is 134,217,728 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 2,097,152 words

by 16 bits. Synchronous design allows precise cycle controls with the use of system clock I/O transactions are possible on

every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable burst lengths and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.

PIN ASSIGNMENT (Top View)

V^DD

DQ0

V^DDQ

DQ1

DQ2

V^SSQ

DQ3

DQ4

V^DDQ

53 DQ15

52 V^SSQ

V^SS

VSSQ

VDDQ

DQ0

VDD

VSS

DQ15

VDDQ

VSSQ

VDDQ

DQ2

DQ4

DQ1

DQ3

DQ14

DQ12

DQ13

DQ11

51 DQ14

50 DQ13

V^DDQ

DQ12

47 DQ11

46 V^SSQ

VSSQ

VDD

DQ6

DQ10

DQ8

DQ9

VDDQ

VSS

CKE

DQ5

DQ7

45 DQ10

44 DQ9

DQ5 10

DQ6 11

LDQM

42 DQ8

41 V^SS

V^DDQ

V^SSQ

DQ7 13

V^DD14

UDQM

CLK

A11

CAS

BA0

RAS

BA1

LDQM 15

WE 16

40 NC

39 UDQM

38 CLK

37 CKE

36 NC

CAS 17

RAS 18

CS 19

A10

54 Ball FBGA

(8x8mm)

(mm ball pitch)

VSS

VDD

A¹¹

BA0 20

BA1 21

A¹⁰/AP 22

A⁰

VDD

VSS

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: Dec. 2008

Revision: 1.2 1/47

12 3 4 5 6 7...47

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M52S128168A-7.5TIG	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
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