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M52S128168A-7.5BG

更新时间： 2024-11-29 04:18:23

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
47页	1192K
描述
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M52S128168A-7.5BG 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.74
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
长度：	8 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

ESMT

Preliminary

M52S128168A

Revision History

Revision 1.0 (May. 29, 2007)

-Original

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: May. 2007

Revision: 1.0

1/47

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M52S128168A-7.5BIG	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, LEAD FREE, VFBGA-54
M52S128168A-7.5TG	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-7.5TIG	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54
M52S128168A-7BG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-7BIG	ESMT	获取价格	暂无描述
M52S128168A-7TG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128168A-7TIG	ESMT	获取价格	暂无描述
M52S128324A	ESMT	获取价格	1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128324A-10BG	ESMT	获取价格	1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52S128324A-10TG	ESMT	获取价格	1M x 32 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM