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M52S128168A-10TG

更新时间: 2024-11-29 04:18:23
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
47页 1192K
描述
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

M52S128168A-10TG 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.61
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G54长度:22.22 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:8MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

M52S128168A-10TG 数据手册

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ESMT  
Preliminary  
M52S128168A  
Revision History  
Revision 1.0 (May. 29, 2007)  
-Original  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date: May. 2007  
Revision: 1.0  
1/47  

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