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M52D32321A-10BG

更新时间： 2024-01-22 03:15:42

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
29页	691K
描述
512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM

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M52D32321A-10BG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	90
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.75
Is Samacsys：	N	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间：	8 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	长度：	13 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

ESMT

M52D32321A

Revision History :

Revision 1.0 (Nov. 02, 2006)

-Original

Revision 1.1 (Mar. 02, 2007)

- Delete BGA ball name of packing dimensions

Revision 1.2 (May. 03, 2007)

- Modify DC Characteristics

Revision 1.3 (May. 14,2007)

- Modify tSS (1.5ns => 2.5ns) and tSH(1ns => 1.5ns)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2007

Revision : 1.3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M52D32321A-7.5BG	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32321A-7BG	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5121632A	ESMT	获取价格	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5121632A-5BG	ESMT	获取价格	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5121632A-6BG	ESMT	获取价格	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5121632A-7BG	ESMT	获取价格	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5123216A	ESMT	获取价格	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5123216A-6BG	ESMT	获取价格	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5123216A-7BG	ESMT	获取价格	4M x 32 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D64164A	ESMT	获取价格	1M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM