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M52D32162A-7BG

更新时间： 2024-01-02 19:50:05
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 存储内存集成电路动态存储器手机
页数 文件大小 规格书
32页 808K
描述
1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM

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M52D32162A-7BG 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.73
访问模式：DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间：6 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：22.22 mm内存密度：33554432 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：1.9 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

M52D32162A-7BG 数据手册

 浏览型号M52D32162A-7BG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号M52D32162A-7BG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号M52D32162A-7BG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号M52D32162A-7BG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号M52D32162A-7BG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号M52D32162A-7BG的Datasheet PDF文件第7页 
ESMT  
M52D32162A  
Mobile SDRAM  
1M x 16Bit x 2Banks  
Mobile Synchronous DRAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The M52D32162A is 33,554,432 bits synchronous high  
data rate Dynamic RAM organized as 2 x 1,048,576 words  
by 16 bits, fabricated with high performance CMOS  
technology. Synchronous design allows precise cycle  
control with the use of system clock I/O transactions are  
possible on every clock cycle. Range of operating  
frequencies, programmable burst length and programmable  
latencies allow the same device to be useful for a variety of  
high bandwidth, high performance memory system  
applications.  
z
z
z
z
1.8V power supply  
LVCMOS compatible with multiplexed address  
Dual banks operation  
MRS cycle with address key programs  
-
-
-
CAS Latency (2 & 3 )  
Burst Length (1, 2, 4, 8 & full page)  
Burst Type (Sequential & Interleave)  
z
z
EMRS cycle with address key programs.  
All inputs are sampled at the positive going edge of the  
system clock  
z
z
Burst Read Single-bit Write operation  
Special Function Support.  
ORDERING INFORMATION  
-
-
-
PASR (Partial Array Self Refresh )  
TCSR (Temperature compensated Self Refresh)  
DS (Driver Strength)  
Max  
Freq.  
Product ID  
Package  
Comments  
z
z
z
DQM for masking  
Auto & self refresh  
64ms refresh period (4K cycle)  
M52D32162A -7TG 143MHz 54 PIN TSOP(II)  
M52D32162A -10TG 100MHz 54 PIN TSOP(II)  
M52D32162A -7BG 143MHz 54 Ball BGA  
M52D32162A -10BG 100MHz 54 Ball BGA  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
Pb-free  
PIN CONFIGURATION (TOP VIEW)  
TOP View  
54 Ball BGA(8mmx8mm)  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
V
SS  
1
V
DD  
DQ15  
2
DQ0  
1
2
3
4
5
6
7
8
9
V
SSQ  
3
V
DDQ  
DQ1  
DQ2  
DQ14  
DQ13  
4
VSS  
DQ15  
VSSQ  
VDDQ  
A
B
C
D
E
F
DQ0  
DQ2  
DQ4  
DQ6  
VDD  
DQ1  
DQ3  
DQ5  
5
V
DDQ  
6
V
SSQ  
DQ3  
DQ4  
DQ12  
DQ11  
7
DQ14 DQ13  
DQ12 DQ11  
VDDQ  
VSSQ  
VDDQ  
VSS  
VSSQ  
VDDQ  
VSSQ  
8
V
SSQ  
9
V
DDQ  
DQ5  
DQ6  
DQ10  
DQ9  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
DQ10  
DQ9  
NC  
V
DDQ  
V
SSQ  
DQ8  
DQ7  
V
SS  
V
DD  
DQ8  
UDQM  
NC  
LDQM  
VDD  
DQ7  
WE  
CS  
NC  
LDQM  
WE  
UDQM  
CLK  
CKE  
NC  
CLK  
A11  
CKE  
A9  
RAS  
NC  
CAS  
BA  
CAS  
RAS  
CS  
G
H
J
A
A
A
A
A
A
A
V
11  
NC  
9
BA  
A8  
A7  
A5  
A6  
A4  
A0  
A9  
A1  
A2  
A10  
VDD  
8
A
10/AP  
7
A
A
A
A
0
1
2
3
6
VSS  
5
4
SS  
V
DD  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : Jul. 2009  
Revision : 1.6 1/32  
1234567...32

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