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M52D32162A-7.5TG

更新时间: 2024-11-28 03:53:59
品牌 Logo 应用领域
晶豪 - ESMT 动态存储器
页数 文件大小 规格书
30页 768K
描述
1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

M52D32162A-7.5TG 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.73
访问模式:DUAL BANK PAGE BURST最长访问时间:7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:33554432 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):1.9 V最小供电电压 (Vsup):1.7 V
标称供电电压 (Vsup):1.8 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

M52D32162A-7.5TG 数据手册

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ESMT  
M52D32162A  
Revision History :  
Revision 1.0 (Aug.16, 2006)  
- Original  
Revision 1.1 (Aug. 31,2006)  
-Modify VDD; VDDQ; tSAC; ICC1; ICC2PS; ICC6 spec  
Revision 1.2 (Apr. 24,2007)  
- Delete BGA ball name of packing dimensions  
Revision 1.3 (Apr. 27,2007)  
- Rename BGA pin name (BA1 to NC ; BA0 to BA)  
- Modify DC Characteristics  
Revision 1.4 (May. 14,2007)  
- Modify tSS (1.5ns => 2.5ns) and tSH(1ns => 1.5ns)  
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.  
Publication Date : May. 2007  
Revision : 1.4  
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