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M52D32162A-7.5BG

更新时间： 2024-11-28 03:53:59

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		动态存储器
页数	文件大小	规格书
30页	768K
描述
1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM

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M52D32162A-7.5BG 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.73
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	S-PBGA-B54
长度：	8 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	SQUARE
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

ESMT

M52D32162A

Revision History :

Revision 1.0 (Aug.16, 2006)

- Original

Revision 1.1 (Aug. 31,2006)

-Modify VDD; VDDQ; tSAC; ICC1; ICC2PS; ICC6 spec

Revision 1.2 (Apr. 24,2007)

- Delete BGA ball name of packing dimensions

Revision 1.3 (Apr. 27,2007)

- Rename BGA pin name (BA1 to NC ; BA0 to BA)

- Modify DC Characteristics

Revision 1.4 (May. 14,2007)

- Modify tSS (1.5ns => 2.5ns) and tSH(1ns => 1.5ns)

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date : May. 2007

Revision : 1.4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M52D32162A-7.5TG	ESMT	获取价格	1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32162A-7BG	ESMT	获取价格	1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D32162A-7TG	ESMT	获取价格	1M x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D32321A	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32321A_09	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D32321A-10BG	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32321A-7.5BG	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D32321A-7BG	ESMT	获取价格	512K x 32Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5121632A	ESMT	获取价格	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D5121632A-5BG	ESMT	获取价格	8M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM