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M52D128168A-7.5BG

更新时间： 2024-11-28 04:18:23

品牌	Logo	应用领域
晶豪 - ESMT		存储内存集成电路动态存储器
页数	文件大小	规格书
47页	1188K
描述
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM

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M52D128168A-7.5BG 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	54
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.56
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	长度：	8 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	8388608 words	字数代码：	8000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

ESMT

Preliminary

M52D128168A

Revision History

Revision 1.0 (May. 29, 2007)

-Original

Elite Semiconductor Memory Technology Inc.

Publication Date: May. 2007

Revision: 1.0

1/47

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
M52D128168A-7.5BIG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5TG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7.5TIG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
M52D128168A-7BG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D128168A-7BG2E	ESMT	获取价格	Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE
M52D128168A-7TG	ESMT	获取价格	2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D16161A	ESMT	获取价格	512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M52D16161A_09	ESMT	获取价格	512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D16161A_1	ESMT	获取价格	512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM
M52D16161A-10BG	ESMT	获取价格	512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM