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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | TSOP2, | 针数： | 54 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.02 | 风险等级： | 5.7 |
| Is Samacsys： | N | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 7 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | 长度： | 22.22 mm |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 4MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| M52D128168A-7.5BIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7.5TG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7.5TIG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7BG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
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| M52D128168A-7BG2E | ESMT |
获取价格 |
Synchronous DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FRE |
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| M52D128168A-7TG | ESMT |
获取价格 |
2M x 16 Bit x 4 Banks Mobile Synchronous DRAM |
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| M52D16161A | ESMT |
获取价格 |
512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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| M52D16161A_09 | ESMT |
获取价格 |
512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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| M52D16161A_1 | ESMT |
获取价格 |
512K x 16Bit x 2Banks Mobile Synchronous DRAM |
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| M52D16161A-10BG | ESMT |
获取价格 |
512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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